面向 50μm以下超薄硅片的磨削与抛光工序协同优化研究

摘要

随着集成电路制造向高集成度与低功耗方向发展，硅片减薄已成为提升器件性能与封装可靠性的关键工艺环节。50μm以下超薄硅片在磨削与抛光过程中易产生翘曲、微裂纹及残余应力集中等问题，对加工工艺的协同性提出了更高要求。围绕超薄硅片加工质量稳定性与良率提升目标，系统分析磨削与抛光两道核心工序在材料去除机理、表面损伤演化及应力释放方面的内在关联，探讨关键工艺参数对损伤层厚度、表面粗糙度和平整度的综合影响。通过构建磨抛工序协同优化思路，强调磨削表面状态对抛光效率与质量一致性的约束作用，为50μm以下超薄硅片实现低损伤、高稳定性的精密加工提供理论依据与技术支撑。