高硅铝壳体微波组件控氢方法的研究

摘要

砷化镓类半导体因其优良性能广泛应用于多芯片微波组件中。然而，组件内部的氢气对砷化镓类微波器件影响显著，可能导致性能退化和故障。本文通过实验研究了吸氢材料和真空烘烤两种方法在高硅铝壳体微波组件中的控氢效果。研究表明，吸氢材料能够有效吸收和固定氢气，显著降低组件内部的氢含量。同时，真空烘烤在不同温度和时间条件下对氢含量也有显著影响。结合两种方法，氢含量可以降至极低水平，从而提高组件的性能和可靠性。