硅单晶生长过程中温控系统的关键技术分析
DOI: http://dx.doi.org/10.12349/cta.v2i2.5440
Article ID: 5440
摘要
硅单晶材料作为半导体产业的基础,在其生长过程中对温度控制的精度和稳定性提出极高要求。温控系统作为硅单晶生长装置的核心组成部分,直接影响晶体质量、缺陷控制及生长效率。本文围绕硅单晶生长过程中的温控系统展开研究,系统分析了温度场均匀性控制、动态响应能力、高温稳定性及系统集成可靠性等关键技术问题,结合热传导、辐射调节与智能控制算法等手段,探讨提升控温系统性能的路径。通过梳理当前主要技术瓶颈与未来发展方向,为后续硅单晶制造装备的优化升级提供理论支撑与技术借鉴,具有重要的工程应用价值。
关键词
硅单晶;温控系统;热场控制;动态响应;系统稳定性
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