磁场直拉硅单晶生长技术的研究现状与发展

杨 国梁(浙江海纳半导体股份有限公司,中国)

DOI: http://dx.doi.org/10.12349/iser.v4i2.1238

Article ID: 1238

摘要


随着半导体行业的发展,半导体材料在电子信息领域中的地位越来越重要。半导体材料的发展对推动中国集成电路产业的发展具有重要意义。目前,硅单晶以其优良的电学性能、低成本和易生长等优点成为电子信息材料领域中应用最广的一种半导体材料。因此,研究和发展硅单晶生长技术对促进中国电子信息产业的发展具有重要意义。论文对磁场直拉硅单晶生长技术进行了综述,详细介绍了国内外磁场直拉硅单晶生长技术的研究现状,并对未来磁场直拉硅单晶生长技术的发展趋势进行了展望。

关键词


磁场;直拉硅;单晶生长技术;电子信息材料;发展趋势

全文:

PDF

参考


张鸣剑,李润源,付宗义.磁场直拉硅单晶生长技术的研究现状与发展[J].新材料产业,2009:80-83.

徐岳生.直拉硅单晶生长的现状与发展[J].河北工业大学学报,2004:57-63.

李贺梅.横向磁场中直拉硅单晶生长[J].电子工业专用设备,2016:47-50.

饶森林,张发云,罗玉峰,等.磁场作用下硅晶体生长的应用研究现状[J].铸造技术,2019:118-123.

吴明明,周标.直拉单晶硅体生长过程中的控氧技术研究[J].新技术新工艺,2013:103-106.

吴明明,王建臣.大直径高质量太阳能级硅单晶磁场直拉技术研究[J].机械,2013:84-87.


Refbacks

  • 当前没有refback。


版权所有(c)2023 杨 国梁

Creative Commons License
此作品已接受知识共享署名-非商业性使用 4.0国际许可协议的许可。