忆阻器等效模型及其在高阶有源滤波电路中的应用

陈 柏华(天津职业技术师范大学,中国)
田 育坤(天津职业技术师范大学,中国)
董 佳(天津职业技术师范大学,中国)

DOI: http://dx.doi.org/10.12349/mit.v2i3.6611

Article ID: 6611

摘要


针对忆阻器实物制备困难、基于忆阻器的滤波电路设计及性能调控存在挑战等问题,本文采用理论分析、模型构建、仿真与实验验证相结合的方法,对忆阻器等效电路、基于忆阻器的有源高通滤波电路及忆阻器可编程性展开研究。设计了单端接地和通用型两种忆阻器等效电路,模拟忆阻器基本电学特性;构建了一阶、二阶和四阶有源高通滤波电路,分析不同阶数电路的滤波效果。结果表明,所设计的等效电路可有效替代忆阻器,高阶滤波电路滤波效果更优,通过改变忆阻值可动态调整截止频率。研究得出忆阻器在滤波电路中具有良好应用潜力的结论,为解决忆阻滤波电路设计难题提供了可行方案。

关键词


忆阻器;等效电路;滤波电路;截止频率;可编程性

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参考


ChuaL.Memristor-themissingcircuitelement[J].IEEETransactionsoncircuittheory,1971,18(5);507-519.

StrukovDB,SniderGS,StewartDR,etal.Themissingmemristorfound[J].nature,2008,453(7191):80-83.

RoseGS.Overview:Memristivedevices,circuitsandsystems[C].in:Paris,eds.Proceedingsof2010IEEEInternationalSymposiumonCircuitsandSystems.France:IEEE,2010:1955-1958.

Merrikh-BayatF,ShourakiSB.Memristor-basedcircuitsforperformingbasicarithmeticoperations[J].ProcediaComputerScience, 2011,3:128-132.

JoglekarYN,WolfSJ.Theelusivememristor:propertiesofbasicelectricalcircuits[J].EuropeanJournalofphysics,2009,30(4):661-663.

PershinYV,DiVentraM.Memristivecircuitssimulatememcapacitorsandmeminductors[J].ElectronicsLetters,2010,18(6):517-518.

蔡少棠.非线性网络理论引论下册[M].(,虞厥邦).北京:人民教育出版社,1981:100-108

蔡少棠.非线性电路理论[M].(,刘小河).北京:人民教育出版社,2009:35-45

李祎.基于硫系化合物的类神经元突触的认知存储器件研究[D].武汉:华中科技大学,2014.

张金箭.碲基硫系化合物材料的忆阻特性研究[D].武汉:华中科技大学,2014.

董哲康.基于忆阻器的组合电路及神经网络研究[D].成都:西南大学,2015.

刘明.新型阻变存储技术[M].北京:科学出版社,2014:78-83.

ZhangW,YaoP,GaoB,etal.Edgelearningusingafullyintegratedneuro-inspiredmemristorchip[J].Science,2023,381(6663):1205-1211.


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