1700V 高性能 GaN HEMT 电力开关器件研究

摘要

GaN材料具有高禁带宽度、高电子迁移率、高热导率、较好的化学稳定性等优势，因此GaN基HEMT电力电子器件在功率开关应用中具备高耐压、低损耗、高开关速度、高温特性好、抗辐照效应好等特点，但是目前面向功率开关应用的GaN器件并未完全发挥出其特性优势，主要体现在目前GaN材料体系的击穿特性已得到充分挖掘，但是基于GaN器件的功率开关应用主要集中在100~650 V的中低压级别，在高压级别的功率开关领域应用较少。针对此问题，论文对面向功率开关应用的新型GaN基HEMT电力电子器件展开深入研究。论文在硅衬底上制备出了横向击穿电压超过1700V，高达1740V的GaN HEMT器件。