抗高过载电容式加速度传感器设计与优化

任 建军(西安机电信息技术研究所,中国)
杨 雁宇(西安机电信息技术研究所,中国)

DOI: http://dx.doi.org/10.12349/iser.v6i6.6018

Article ID: 6018

摘要


针对全电子引信常用的电容式加速度传感器在高过载环境下,上下级板由于静电吸附而损坏,加工工艺复杂,无法克服对准误差,造成传感器灵敏度低的问题,提出了一种量程为±100g抗过载电容式加速度传感器结构。该结构采用玻璃-硅-玻璃的“三明治”结构,并在质量块上加“防护台”结构,避免了在高过载环境质量块位移过大而引起悬臂梁损坏以及上下极板黏附,造成传感器失效的问题,并设计了MEMS加工工艺,克服了对准误差。验证试验表明:传感器量程为±100g,输出灵敏度为13.5μv/g,工作频率为6.2KHz,并在10000g的高过载下正常工作。因此该抗高过载电容式加速度传感器满足全电子引信的使用要求。

关键词


引信;电子安全系统;电容式加速度传感器;抗高过载

全文:

PDF

参考


席占稳,传感器在引信中的应用研究[D],南京理工大学,2003.

屈新芬, 苏伟. 侵彻武器用MEMS大g值加速度计.电子技术参考, 2002, (2): 27-31.

王辅辅,娄文忠,微机电技术在引信中的应用综述[J],探测与控制学报,38(3): 22-28, 2016.

陈艳香,石云波,智丹,杨志才,冯恒振. SiC高温高量程加速度传感器的仿真与分析[J]. 传感技术学报,2015,10:1471-1475.

冯建斌. 电容式加速度传感器的优化设计[D].大连理工大学,2014.


Refbacks

  • 当前没有refback。


版权所有(c)2025 任 建军, 杨 雁宇

Creative Commons License
此作品已接受知识共享署名-非商业性使用 4.0国际许可协议的许可。